Laser 2000
Abschluss-Statement zum Leitprojekt HLDL und diodegepumpte Festkoerperlaser
Abkuerzungen: DL: Diodenlaser, DHLDL: Hochleistungsdiodenlaser
Werner Spaeth (Siemens AG, Regensburg)
Verbundprojekt 'Analyse und Aufbau von Material- und Schichtsystemen fuer HLDL'
"Ueber lange Zeit stellten Spontanausfaelle von DL den industriellen Einsatz in Frage. Ein wesentliches Ergenis ist deshalb, dass diese Spontanausfaelle bei HLDL in aluminiumhaltigen Materialsystemen, bei Wellenlaengen von 808 nm und 940 nm nicht mehr auftreten. Der Wirkungsgrad konnte bei 808 nm auf 45 Prozent (Einzelbarren, 20 Watt Ausgangsleistung) bzw. 41 Prozent (Stacks, 3,6 KWatt Ausgangsleistung) gesteigert werden, bei einer Lebensdauer von 20.000 Stunden. Bei 940 nm wurden 52 Prozent Wirkungsgrad und eine Lebensdauer von 50.000 Stunden erreicht. Hervorzuheben ist, dass die Homogenitaet der Epitaxieschichten bei ueber 90 Epitaxiefahrten sehr gut reproduzierbar war und die Wellenlaengen ueber den Wafer nur um 2 nm schwankten. Zum ersten Mal wurden in Deutschland 630 nm Laser fuer den kontinuierlichen Betrieb hergestellt. Bei Verwendung von "Freiberger" Substraten konnten keine Qualitaetsunterschiede im Vergleich zu Standardsubstraten festgestellt werden. Mit Wellenleitern als Strahlvereiniger konnte eine Leistungsdichte ueber 1 KWatt/cm2 demonstriert werden.