Gallium-Arsenid-Transistor fuer Satellitenfunktechnik

Das Gehaeuse bestimmt das Anwendungsgebiet

Stuttgart, im Mai 1997 - Zwei Dinge kennzeichnen die Eigenschaften des Gallium-Arsenid-Bauteils, das Wissenschaftler im Daimler-Benz-Forschungszentrum Ulm derzeit auf seine Zuverlaessigkeit und Raumfahrtqualifizierung untersuchen: Der Transistor selbst und das Hochfrequenzgehaeuse, in dessen Zentrum er eingebaut ist.

Charakteristische Eigenschaften des Transistors sind die sehr hohe Verstaerkung und das aeusserst geringe Hochfrequenzrauschen. Als universelle Einzelkomponente hat er eine Grenzfrequenz von achtzig Gigahertz. In der gehaeusten Form hat zudem die Aufbautechnik entscheidenden Einfluss auf seine Hochfrequenzeigenschaften. Fuer unterschiedliche Anwendungen in der Satellitenfunktechnik muessen beispielsweise Frequenzbaender zwischen zwei und zwoelf Gigahertz abgedeckt sein. Diese anwendungsbedingte Beschraenkung erreichen die Forscher durch Verwendung des Transistors in dem hier gezeigten, sogenannten "Mikro-X"-Gehaeuse. Dies ist ein wichtiger Beitrag zu einer kostenguenstigen Aufbautechnik.

Die wesentlichen Arbeiten zur Entwicklung des Transistors leistete in den letzten Jahren die Daimler-Benz-Forschung. Die Weiterentwicklung und die Untersuchungen fuer den Einsatz in der Raumfahrt erfolgen bei der United Monolithic Semiconductors (UMS), einem Zusammenschluss der Daimler-Benz-Aerospace, Temic und Thomson.

Bildunterschrift: Zwei Dinge kennzeichnen die Eigenschaften des Gallium-Arsenid-Bauteils, das Wissenschaftler im Daimler-Benz-Forschungszentrum Ulm derzeit auf seine Zuverlaessigkeit und Raumfahrtqualifizierung untersuchen: Der Transistor selbst und das Hochfrequenzgehaeuse, in dessen Zentrum er eingebaut ist.

Info: Daimler-Benz AG, Presse Forschung und Technik (KOM/P) Burkhard Jaerisch Tel.: (0711) 17- 93271, Fax: -94365 e-Mail: 100106.566@compuserve.com Bild und Text: http://www.daimler-benz.com/presse/foto.htm (oder auf Anfrage per Post)