Alterungseffekten bereits im Entwurf begegnen
Unser modernes Leben hängt mittlerweile vollständig von einer Vielzahl uns umgebender integrierter Schaltkreise (ICs) ab. Dies reicht von unseren Smartphones, über immer intelligentere Autos, bis hin zu medizinischen Implantaten. Diese ICs werden durch stetige Miniaturisierung von Jahr zu Jahr kleiner und dennoch leitungsfähiger und übernehmen immer wichtigere, teils lebenswichtige Aufgaben.
Durch diese seit Jahrzehnten andauernde Miniaturisierung stößt unsere Technologie allmählich in atomare Dimensionen vor, in denen quantenmechanische Effekte zu neuartigen Problemen führen, die sich als Alterungseffekte zusammenfassen lassen. Spielten für die Zuverlässigkeit eines Systems bisher nur Herstellungsvariationen und plötzliche Ausfälle nach sehr langer Betriebszeit eine Rolle, haben neueste Systeme die Tendenz, sich über Jahre hinweg in ihren Eigenschaften zu verschlechtern – was zu einem frühen Versagen des Systems führt.
Techniken, die normalerweise zur Steigerung der Zuverlässigkeit genutzt werden - wie das dreifache Vorhalten aller Komponenten und der stete Vergleich zwischen diesen (triple modular redundancy) können hier kaum helfen, da alle drei redundanten Komponenten der gleichen Alterung unterworfen sind und etwa zur gleichen Zeit ausfallen werden.
Zurzeit kann die Industrie diesem Problem nur mit extremen Sicherheitsmargen begegnen: Systeme werden teilweise nur noch halb so schnell betrieben wie eigentlich möglich wäre, nur um sicher zu stellen, das auch die am schlechtesten hergestellten und am stärksten gealterten Systeme selbst unter widrigsten Umständen noch ihren Dienst verrichten. Das bedeutet im Rückschluss aber, dass ein großer Teil der möglichen Leistungsfähigkeit heutiger Systeme verschenkt werden muss, was die durch die Miniaturisierung gewonnenen Vorteile fast vollständig zunichte macht.
Genau hier setzt das MoRV Projekt an, das die im Thema Alterungseffekte führenden Forschungsgruppen aus Industrie (Infineon, IMEC, Global TCAD Solutions) und Wissenschaft (TU Wien, Fraunhofer EAS, IROC, OFFIS) zusammenbringt um eine quantenmechanische Beschreibung der Alterungseffekte anzufertigen und darauf aufbauend einfache, aber genaue Modelle für ganze Transistoren, Logikgatter und schließlich Systemkomponenten zu entwickeln. Wenn schon beim Entwurf eines Systems genau bekannt ist, wie sich dieses nach Jahren des Betriebes verhalten wird, kann es so entworfen werden, dass es sich an den gealterten Zustand adaptiert, wodurch die Sicherheitsmargen sehr viel kleiner bemessen werden können.
MoRV wird im siebten Rahmenprogramm ICT der Europäischen Union gefördert (Projektnummer 619234)
Ansprechpartner für Rückfragen der Redaktion:
Dr. Domenik Helms
Gruppenleiter Analyse nanometrischer integrierter Schaltungen
Tel.: 0441/9722-284
Mail: domenik.helms@offis.de
Weitere Informationen:
https://morv-project.eu/
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