Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF
Die Leistungsdichte von Transistoren ist eines der wichtigsten Kriterien für ihren Einsatz in Höchstleistungsanwendungen im GHz-Bereich. Sie... [mehr]
Die Zahl der RF-Komponenten, die in einem einzelnen Smartphone verbaut sind, ist in den letzten Jahren stark gestiegen. Das Fraunhofer IAF hat... [mehr]
Das Applikationslabor wird im Rahmen des Fraunhofer-Leitprojekts »QMag«, kurz für Quantenmagnetometrie, errichtet. In dem Projekt entwickeln... [mehr]
In den letzten Jahren wurden die Hochfrequenzeigenschaften von High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) kontinuierlich verbessert. Die... [mehr]
Transistoren basierend auf dem Material AlScN gelten als vielversprechend für den Einsatz in industriellen Anwendungen wie der Datenübertragung,... [mehr]
Insbesondere im Bereich der Pharma- und Lebensmittelproduktion ist eine kontinuierliche Überwachung der Inhaltsstoffe unverzichtbar.... [mehr]
Einsatzkräfte der Polizei stoßen bei einer Hausdurchsuchung auf einen verdächtigen Raum – einen Raum, der alles sein kann: Drogenküche,... [mehr]
Eröffnet wurde die Veranstaltung von Prof. Dr. Reimund Neugebauer, Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft, Ministerialdirigent Günther... [mehr]
Damit sich Fahrzeuge mit Elektroantrieb langfristig durchsetzen können, müssen die Lademöglichkeiten flexibler werden. Um Ladesäulen mit... [mehr]
